
| Artikel | Technische Eigenschaften | ||
| Hochreines Krypton GB/T5829-2006 | Ultrareines Krypton | ||
| Kr-Reinheit (Volumenanteil)/10-2≥ | 99,999 | 99,9995 | 99,9999 |
| Stickstoff (N2) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 2 | 1,5 | 0,2 |
| Sauerstoff (O2) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 1,5(O2+Ar) | 0,5(O2+Ar) | 0,1 |
| Argon (Ar)-Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 0,05 | ||
| Wasserstoff (H2) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 0,5 | 0,2 | 0,05 |
| Kohlenmonoxid-Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 0,3 | 0,1 | 0,05 |
| Kohlendioxid (CO₂)2) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 0,4 | 0,1 | 0,05 |
| Methan (CH4) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 0,3 | 0,1 | 0,05 |
| Wasser (H2O) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 2 | 1 | 0,2 |
| Xenon (Xe)-Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 2 | 1 | 0,2 |
| Fluorid (CF4) Gehalt (Volumenanteil)/10-6≤ | 1 | 0,2 | 0,05 |
Anwendungsgebiet: Hauptsächlich eingesetzt in der Halbleiterindustrie, der Vakuumindustrie, der Lichtquellenindustrie sowie in der Lasergastechnik, im medizinischen Bereich und anderen Bereichen.